振荡enidine缓冲器以并联方式耦接振荡源，用以提供预设频率的预设波形给核心电路，核心电路具有多个操作在核心电压的ＭＯＳ晶体管。振荡缓冲器包括反相器，耦接于核心电压与接地之间，用以放大来自振荡源的输入信号。反相器具有一或多个ＭＯＳ晶体管，且反相器的ＭＯＳ晶体管的栅极氧化层的厚度实质上等于核心电路的ＭＯＳ晶体管的栅极氧化层的厚度。缓冲器重置系统包含一重置旗标以及一控制单元，重置旗标设于该缓冲器，重置方法是藉由控制单元设定重置旗标，使每交换一处理单元可重新读取缓冲器的资料以处理缓冲器的资料，如此可提高缓冲器的使用效能。此外，缓冲器更可设有覆写旗标，让资料无法覆写至缓冲器内，以保留缓冲器的资料，避免缓冲器的资料遗失。www.wfsancai.com